硅-藍(lan)原(yuan)(yuan)石(shi)由(you)多(duo)晶硅隔絕(jue)體重元(yuan)素組成(cheng)的，不可(ke)(ke)能時(shi)有(you)發生了(le)有(you)一定的滯后性、勞累和(he)金(jin)屬(shu)疲勞現狀；藍(lan)原(yuan)(yuan)石(shi)擁有(you) 愈來(lai)愈好的延展能力和(he)隔絕(jue)性狀（1000℃球以內），對溫度(du)變(bian)化(hua)(hua)不脆(cui)弱，就(jiu)算在(zai)低溫先決條件下，也擁有(you) 極好的做工(gong)作(zuo)性狀；藍(lan)原(yuan)(yuan)石(shi)的抗反射性狀極具；還(huan)，硅-藍(lan)原(yuan)(yuan)石(shi)半導體技術脆(cui)弱器件，無(wu)p-n漂移(yi)(yi)，因(yin)為，可(ke)(ke)采用于各樣繁雜大(da)環境時(shi)候(hou)。傳電(dian)(dian)子元(yuan)器件傳感器器由(you)雙膜(mo)片(pian)存在(zai)：鎂(mei)合(he)金(jin)屬(shu)類(lei)(lei)類(lei)(lei)測(ce)(ce)量膜(mo)片(pian)和(he)鎂(mei)合(he)金(jin)屬(shu)類(lei)(lei)類(lei)(lei)收發膜(mo)片(pian)。印刷版(ban)有(you)異質外加性應(ying)力太敏感電(dian)(dian)橋(qiao)線(xian)路(lu)設(she)計的藍(lan)原(yuan)(yuan)石(shi)膜(mo)片(pian)，被(bei)(bei)(bei)熔焊在(zai)鎂(mei)合(he)金(jin)屬(shu)類(lei)(lei)類(lei)(lei)測(ce)(ce)量膜(mo)片(pian)上。被(bei)(bei)(bei)測(ce)(ce)心(xin)理(li)壓(ya)傳到收發膜(mo)片(pian)上。在(zai)心(xin)理(li)壓(ya)的角色下，鎂(mei)合(he)金(jin)屬(shu)類(lei)(lei)類(lei)(lei)收發膜(mo)片(pian)存在(zai)彎(wan)(wan)曲(qu)，該彎(wan)(wan)曲(qu)被(bei)(bei)(bei)硅-藍(lan)原(yuan)(yuan)石(shi)脆(cui)弱器件感覺(jue)后，其電(dian)(dian)橋(qiao)輸出會時(shi)有(you)發生了(le)變(bian)化(hua)(hua)，變(bian)化(hua)(hua)的幅度(du)過與被(bei)(bei)(bei)測(ce)(ce)心(xin)理(li)壓(ya)成(cheng)比例(li)。電(dian)(dian)橋(qiao)線(xian)路(lu)設(she)計將(jiang)電(dian)(dian)橋(qiao)的貧富分化(hua)(hua)移(yi)(yi)動4g信(xin)號(hao)，換(huan)算為電(dian)(dian)流電(dian)(dian)壓(ya)移(yi)(yi)動4g信(xin)號(hao)輸出。